给你2G内存！三星推出超高容量内存
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    2004-09-23 韩国三星电子宣布其集团成功使用80纳米工艺技术，制造出全球第一颗拥有高达2GBit容量的DDR 2颗粒。 这项新的DRAM技术取得了很多突破性进展，包括3D晶体管技术，凹槽数组晶体管（RCAT），和新概念架构处理。出现于2003年的RCAT是三星公司一项独特的技术，它用于通过使用一种3D结构设计，来减少晶体管所占的体积。