产量提升40％三星进军90纳米内存领域
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    2004-09-10 就向大家一直企盼的那样，三星电子宣布，公司于周四开始为DRAM生产90纳米技术的DDR芯片。这一行为表明了三星向先进工艺流程的转变并且可能也暗示这公司会在几个月内将此类技术延续到DDR2芯片上去。

　　三星表示他们正在利用90纳米工艺流程在300毫米的芯片上制造512兆的DDR SDRAM。这种90纳米512兆DDR SDRAM 已经由先进的芯片组生产厂家验证可以在额定电压为2.5伏的400或333兆赫的电压下均可使用。根据三星的预测，从0.1微米到90纳米的革新使产品产量提升了40％，而且同时也提供了更高的产品效率。90纳米工艺技术在产量上的成功关键在于短波长ArF为实现更优良的电路提供了来源，采用高绝缘AHO的电容器提高了数据存储性能。三星独一无二的三向晶体管电路，凹道排列晶体管（RCAT）实现了电容器的数据保存特性，提高了线路刷新。

　　在2004年八月初，一些材料已表明三星将开始向90纳米工艺技术的转变。报导表示，最初公司将用400MHZ，533MHZ和667MHZ的Speed-bin制造512MDDR2设备。以90纳米技术制造DDR表明公司开始尝试用先进技术流程延续内存制造。

　　有了更精密的制造技术，高速动态随机存储器芯片的制造就变得更加便宜。90纳米，100纳米以及更先进的工艺流程使频率在443MHz和667MHz的DDR2更加实惠。而这又会加速向DDR2的转变。其他先进的内存制造商如Elpida和Hynix更趋向于采用0.10微米技术的DDR产品。