TwinMOS PC3200/PC3700内存全接触
 收藏

第1页：TwinMOS DDR400/DDR466内存

    2003-05-28 在过去的几个月中，DDR400内存 获得了越来越多的支持。在AMD平台应用中，不同厂商的芯片组对其支持越来越成熟，比如VIA KT400、NVIDIA nForce2等芯片组都。Intel公司对今年DDR400内存的推广起了主要的推动作用。Intel发布了针对发烧友设计的双通道DDR400的875P （Canterwood）芯片组和865PE（SpringDale）芯片组纷纷对于DDR400提供了全面的支持。所有这些“利好”因素均加快了市场采用DDR400规范的进程。随着全部内存生厂商均加入到DDR400生产潮流中，市场上将会有许许多多不同型号、不同品牌的内存芯片上市销售。 在这些琳琅满目的内存中，看来消费者们必须要动动脑筋，才能从中做出最佳选择。

　　很明显，台湾内存厂商勤茂（TwinMOS）是不会错失良机的，他们针对主流市场和高端市场分别发布了DDR400和DDR466内存。勤茂（TwinMOS）生产内存的时间较长，我们以前曾经对勤茂（TwinMOS）的PC166 SDRAM进行了专门介绍。当时勤茂（TwinMOS）名气很小，网上几乎看不到有关它的评论，但后来事实证明PC166 SDRAM是一款性能极佳的产品。今天，我们要对勤茂（TwinMOS）的三款最新内存进行评测比较。这三款内存分别是：采用了TMD-50D内存芯片的TwinMOS PC3200，采用了Winbond CH-5内存芯片的TwinMOS PC3200和采用了TMD-43B内存芯片的TwinMOS PC3700。本文，我们将在不同内存时序、不同电压及最大可能前端总线频率（FSB）的情况下对此三款内存进行测试，以展示它们不同的 极限性能和稳定性。

硬件平台

  • CPU：Intel Pentium 4 3.0Ghz (前端总线频率FSB800Mhz)
  • 主板：EPoX 4PCA3+ (875P)
  • 内存1:TwinMOS 256MB DDR400 SDRAM x 4
  • 内存2:TwinMOS 256MB DDR466 SDRAM x 2
  • 硬盘:Maxtor DiamondMax Plus 8 40GB ATA133
  • 显卡:Hercules 3DProphet Radeon 9700 Pro

软件平台

  • Windows XP Pro＋SP1
  • Intel Chipset Software Utility 5.00.1012
  • ATi Catalyst 3.2
  • 桌面设置：1024x768x32, 75Hz
  • DirectX 9.0a
  • SiSoftware Sandra 2003 Professional Pre-SP2 v4.51

EPoX 4PCA3+ (875P) 主板

　　由于Canterwood芯片组是专门针对高频率前端总线稳定运行而设计的，所以我们选用了在高频率前端总线下具有出色稳定性的EPoX 4PCA3+（875P芯片组）作为测试平台的主板。这将有方便我们测试正常状态下的内存性能和超频状态下的内存性能，尤其有利于Canterwood芯片组支持的双通道DDR模式的测试。很明显，双通道DDR模式 运行的要求要远远高于单通道DDR模式。

　　EPoX 4PCA3+提供了丰富的BIOS功能，富有经验的用户可以利用这些功能进行系统性能调节甚至进行超频调节。在BIOS选项中，前端总线频率可以以1Mhz步进在100-350Mhz范围内调节；另外还可以对内存时序CAS、Trcd、Tras和Trp进行调节；CPU:DRAM比率为可以设定为1:1、5:4或者6:4；VCore电压最高可提高+0.05V，VAGP电压最高可达2.2V，VDIMM电压最高可达3.3V。

　　我们使用的Pentium 4 3GHz处理器是未锁倍频的工程样品，由于倍频可以随意调节，所以CPU主频不会再受到倍频的限制。芯片组同样也不会因为CPU的倍频不能调节而无法提高到较高的FSB频率，这样我们可以通过提高FSB、降低倍频的方法，来保证CPU主频不提升的太高，从而保证系统在更高的FSB频率下稳定的工作。此时，能限制前端总线频率最大值的因素就只剩内存芯片质量、PCB质量及VDIMM电压了。

　　我们今天测试的这三款勤茂内存具有相同的特性，我们将其TRCD值均设定为3T。TwinMOS PC3700内存同其它内存一样，TRP也需要设定为3T。所以在进行超频测试之前，详细了解内存的主要参数是非常重要的。

　　在进行大部分较为繁重的测试时，我们将内存时序设定为2-3-2-5 (依次为CAS Latency－TRCD-TRP-TRAS)来测试其超频稳定性。TRAS是决定内存超频性能的主要影响因素之一 。对于更高频率的内存测试，我们将内存时序设定为2-3-2-7，因为TRAS是影响内存超频性能的一项非常重要的参数，所以调整它，可以在让内存工作在更高的频率上。对于一般的内存测试，我们通常将内存时序设定为2.5-3-3-7，因为很多内存即使在这样的测试下也无法在CAS2下问题的工作。