廉价之选,Corsair VS系列内存评测
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第1页:廉价之选:CORSAIR VS256MB333 & VS256MB400

2003-04-24

近期内存业界风云

  做为业界的领导者,三星(Samsung)的地位依然稳若泰山。最近,三星宣布了开始量产容量为1GB的DDR II内存模组,这种内存模组采用了512Mbit内存芯片,运行频率高达533MHz,将会符合PC4300规范。

  不过,这里我们对于“量产”的说法有些疑问。因为我们实在不清楚什么地方能够批量的应用到这种内存模组。当然,现在的确有很多厂商明确表示在今明两年内实现对于DDR II的支持。此外,三星还宣称把这种内存模组的频率提升到667MHz (PC5400)也没有什么难度。

  镁光(Micron)始终在做着努力,希望能够超过三星。它们在开发大容量内存模组方面很有建树,在3月份,镁光宣布销售容量为4GB的Registered PC2100 DIMM内存模组,并且展示了第一款采用0.11微米制程的512Mbit DDR400内存芯片。镁光希望新的工艺能够进一步降低产品的成本,提高产品的竞争力,帮助公司渡过困境。

  Hynix最近并不顺利,3月底被欧洲委员会客以35%的惩罚性关税,使得其产品在欧洲彻底的失去了竞争力,所以Hynix在4月份退出了欧洲市场,专心经营亚洲和美国市场——其在美国俄勒冈州兴建了0.13微米制程的芯片工厂表明了其对于美国市场的信心。

  台湾厂商Nanya趁着Hynix陷入麻烦之际迅速的赶了上来,目前其已经跻身于世界前5大DRAM厂商之列,甚至已经超过了经验老道的Elpida。Nanya计划在今年年底就全面转向0.11微米制程,而不是之前所计划的2004年年初。

  Nanya对于业界的变化反应之快也令人吃惊。前一段时间DDR SDRAM利润较高的时候,Nanya迅速的投入到了DDR SDRAM的生产当中,而最近SDRAM的价格扶摇直上,Nanya迅速调度部分设备转产SDRAM。最近,nVidia同Nanya签订了显存供货合同,这意味着在nVidia眼中,Nanya已经成为了和三星平起平坐的竞争对手了。Nanya还宣称在同Infineon的合作开发0.09微米制程技术,预计这种技术将会在2004年应用到生产中。

  Infineon的优势还是在于其技术,比如其首先发布了533MHz/667MHz 512Mbit DDR II芯片样品。不过其并没有像三星那样宣布已经“量产”,但是我们相信当需要量产的时候Infineon是有足够的能力实现的。

  Rambus最近并没有什么新的动向,依然就专利问题同Infineon纠缠不清。不管这场官司的结果是如何,Rambus在市场上一败涂地的局面却是无法挽回的事实了。

  Elpida一直同前面提及的Rambus保持着密切的合作,而且其还取得了Rambus Yellowstone授权。Elida在显存领域一直独树一帜,3月份他们发布了第一款DDR II芯片:GDDR 2-M。我们并不奢望Elpida会把Yellowstone技术引入到显存应用上,但是在其GDDR2等产品中应用相关的技术还是很有可能的。当然GDDR2还面临着一些问题,比如标准不统一,几乎所有的厂商都试图推出自己的标准。有人预计,整个产业将会迅速过渡到GDDR3标准来达到标准统一。

  据悉,Kingston最近已经同Elpida签订协议,Elpida正式成为Kingston的OEM厂商。这将有利于缓解Elpida销售额下降的问题。

  Kingston最近推出的HyperX系列模组C3000/3200/3500,它们都在提高延迟方面作了一定的优化。

  其竞争对手们也在3月份推出了一些新产品。比如TwinMOS发布了512MB PC3700内存模组、GeIL发布了成对的所谓双通道500MHz PC4000内存模组。Kingmax则主要在外表上下功夫,推出了多彩系列内存模组,不过个人认为这对于内存来说并不是什么好创意。

  OCZ,超频玩家的最爱,它们在3月份的举动也相当的引人注目。它们发布了应用了QMB技术的内存模组,这种内存模组的芯片频率为400MHz,可以提供高达6.4GB/s的数据传输带宽。另外,它通过这种技术使得采用266MHz的芯片的内存模组提供4.2GB/s的带宽,而芯片频率提升到333MHz之后,带宽则提高到了6.4GB/s。

  即将推出的VIA KT600和PT600将会对于QBM内存模组提供支持,不过我们对于依靠VIA自己的力量推广这种内存模组的前景并不乐观。

  对于国内市场的用户来说,近期的内存市场最主要的话题还是价格。涨涨跌跌几乎是我们每天都能看到的,总的来说现在的内存价格比较合理,是购买的好机会了。最近我们IT168评测室通过不同的渠道收集到了几款内存,用了近一周的时间进行测试,下面我们对于每款内存进行逐一的评述。

 

廉价之选:CORSAIR VS256MB333 & VS256MB400

  自从去年亿展科技开始代理Corsair内存之后,国内的用户终于得以尝试这种优质的内存。不过,目前国内只能看到XMS(eXtreme Memory Speed)系列的产品,这个系列的产品的属于Corsair的高端产品,由于价格太高,所以鲜有人能够问津。

  最近,我们收到了亿展科技送测的面向低端的Corsair内存,CORSAIR VS256MB333 & VS256MB400内存模组。不过奇怪的是我们在Corsair的官方网站(www.corsairmicro.com)上并没有查到关于这两条内存模组的任何资料。

  在Corsair产品线中包括了以上几种:

  • DDR SDRAM,普通的DDR内存模组,编号都是以CM开头,比如CM73SD512R-2100,容量有128MB、256MB、512MB和1GB几种。
  • eXtreme Memory Speed,XMS系列内存模组,Corsair的招牌产品,其编号以TWINX或者CMX开头,比如TWINX1024-2700LL、CMX512-3500C2,其中TWINX是其双通道系列,容量都是512MBx2,而CMX系列的容量有256MB、512MB等。
  • PC133,是SDRAM内存模组
  • Low Profile,主要是PC100 SDRAM和PC133 SDRAM,产品编号以CM开头。
  • Rambus RIMMs,是Corsair生产的Rambus内存模组
  • Server Upgrades,主要用于康柏服务器升级的Registered PC133 SDRAM内存模组
  • SODIMMs,主要用于笔记本的产品,产品编号也是以“CM”开头。

  我们通过登录Corsair的官方网站验证上面的信息,查阅Corsair是否推出过VS系列的内存,发现Corsair的确推出过VS系列的PC SDRAM内存模组,不过在当前的产品列表中并没有体现。利用它们的搜索引擎在其网站上也找不到这两款内存的信息。不过我们通过Goolge在Internet上找到很多这个方面的信息,比如康柏的网站就有这样的信息,不过其提供的图片都是有着很大的差别的:


http://www.sepco.com.au/buy.asp?ProductID=VS256MB333的图片


http://www.computerhq.com/hardware/partinfo-id-3274.html的图片

  从这些资料上可以看到这款内存在广泛的销售,但是其官方网站却没有提供详尽的信息。也许Corsair本来就无意在零售市场上销售这种内存。

  首先我们来仔细看看Corsair DDR333内存模组,这款内存模组外观上同市面上流通的其它的普通DDR SDRAM内存模组相比没有什么特殊之处,除了标签上有Corsair的字样没有其它的标识能够看出这是Corsair的产品。

CORSAIR VS256MB333内存模组正面

CORSAIR VS256MB333内存模组反面

CORSAIR VS256MB333标签


  内存条的做工还算不错,采用了8颗SPECtek生产的编号为S80032VMCTW,这是一种32Mx8bit芯片,单bank,总容量为256MB。由于没有找到这款芯片的更详尽的资料,我们使用Sisoft Sandra进行了检测:

CORSAIR VS256MB333内存模组默认时序


  这款CORSAIR VS256MB333内存模组默认时序为2.5-3-3,规格比较保守。我们在平台上将其优化为2.5-2-2。当改为CAS2之后,系统在进入Windows XP的时候出现蓝屏现象。

CORSAIR VS256MB333内存模组最优化时序


  在这种设置下,整个系统非常的稳定,在整个测试过程中没有出现任何的问题。在后门的测试中我们分别在默认时序和优化时序下进行了测试。

  

  从这两款VS系列内存看,Corsair显然采用了多家内存芯片厂商的芯片来生产模组。这款VS256MB400内存模组采用了三星的内存芯片,而前面介绍的VS256MB333采用的则是SPECtek生产的内存芯片。

CORSAIR VS256MB400内存模组正面

CORSAIR VS256MB400内存模组反面

  既然是VS(Value Select)系列,它的定位就不是XMS系列那样的高端,因此我们看不到Corsair XMS内存的黑色散热片,其外观同其它的廉价DDR400非常的相似。

CORSAIR VS256MB333内存模组标记和内存芯片


 CORSAIR VS256MB400内存模组采用了8颗66线TOSP II封装的K4H560838D-TCC4内存芯片,这种芯片组织结构为32Mx8,CL=3。这款内存模组具有单物理bank,总容量为256MB。我们同样对于这款内存进行了优化,发现其时序最高可以设定为2.5-2-2,当CAS3时,系统在进入桌面的刹那发生蓝屏的现象。

CORSAIR VS256MB400内存模组最优化时序


  对于这款内存模组,我们仅仅测试了其处于最优化状态下的性能。需要说明的是,由于我们采用了Intel D845GEBV2主板(Intel 845GE芯片组),最高只能支持DDR333内存规范,所以此时这款DDR400内存的实际工作频率是333MHz——而即使频率降了一个等级,其CL依然无法设定为2,这一点让我们感到有些失望。